Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Тип модуля:SO-DIMM
Поддержка водяного охлаждения:-
CAS Latency (CL):-
Радиатор:Нет
Низкопрофильная:Нет
Подсветка:Нет
Производитель:Samsung
Количество контактов:262
Дополнительная информация:-
описание:Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
7a0439983e3424dd209739aa2a049f1d
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Подсветка
Производитель
Количество контактов
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тип оборудования
gtdNumber
Тайминги
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Габариты (мм)
Количество чипов на модуле
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия